集成電路生產的第一步是通過傳輸電路的模式到基板。光敏聚合物光刻用紫外線照射，成像去除輻照部分。一旦電路圖案固定在光刻膠上，圖案可以通過蝕刻工藝復制到多晶硅等襯底薄膜上，從而形成晶體管柵電路，同時利用鋁或銅實現元件之間的互連，或者利用硅封閉互連路徑。蝕刻的效果是將印刷圖案轉移到基片上，具有較高的精度，因此蝕刻過程必須選擇性地去除不同的薄膜，基片的蝕刻需要高的選擇性。否則，不同導電金屬層之間會出現短路。此外，蝕刻過程也應該是各向異性的，以便印刷圖案可以準確地復制到基板。

20世紀70年代，微電子元件工業開始采用等離子刻蝕技術。等離子體可以將氣體分子電離或分解成化學活性成分，它們與基體的固體表面發生反應，產生揮發性物質，然后通過真空抽運。通常需要刻蝕的材料有四種：硅（體積或非體積）、介電（如sio2或sin）、金屬（通常是鋁、銅）和光刻膠。每種材料的化學性質各不相同。

等離子體刻蝕是一種各向異性刻蝕工藝，能夠保證刻蝕圖案的準確性、特殊材料的選擇性和刻蝕效果的均勻性。在等離子體刻蝕中，基于等離子體相互作用的物理刻蝕和基于活性基團相互作用的化學刻蝕同時發生。這種等離子體刻蝕工藝是從一種簡單的平板二極管技術開始的，發展成一種價值數百萬美元的多頻發生器、靜電吸收器、外墻溫度控制器和各種專門為特定薄膜設計的過程控制傳感器的復合腔。可以刻蝕的介質是二氧化硅和氮化硅。這兩種介質的化學鍵能很高，通常是由氟化碳氣體（如cf4、c4f8等）產生的高活性氟等離子體刻蝕而成。